惠普宣布与海力士合作开发新型内存

惠普宣布与海力士合作开发新型内存

北京时间9月1日早间消息，据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。

    据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。

    ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM还可以模拟Flah、DRAM甚至硬盘。总之，ReRAM可以成为通用存储管道。

    惠普表示，忆阻器能够在断电的状态下存储信息，而且能耗极低。这就意味着笔记本电脑运行速度可以更快，一次充电使用时间更长。考虑到如今智能手机应用的繁多，这一技术也将大大延长智能手机的使用时间。

    在未来，由于计算和存储功能能够在同一个芯片上实现，笔记本电脑和手机将会变得轻薄得多，而且比现在运行快得多。