尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存

尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存

尔必达内存公司（Elpida Memory Inc.）表示，该公司与Spansion公司（Spansion Inc.）已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。

这家日本芯片制造商表示，该公司采用了所谓的电荷撷取（charge trap）技术来开发这个4G的NAND闪存芯片，该芯片的信元结构不同于现有的以传统浮动栅（floating gate）技术制造的NAND闪存芯片。该公司表示，这项新技术可帮助生产较目前市场上产品体积更小、功能更强大NAND闪存芯片。

尔必达的目标是成为全球第一个大规模生产基于电荷撷取技术NAND闪存芯片的芯片制造商。

诸如尔必达等仅生产DRAM（dynamic random access memory）芯片的半导体制造商正在试图增加生产闪存芯片的能力，以满足将闪存和DRAM整合成单一模块以用于移动电话的强烈需求。这类产品的市场正日益增长，部分原因是智能手机的全球普及。