电荷俘获型NAND闪存已投入生产

电荷俘获型NAND闪存已投入生产

Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。

按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAND在更简单的单元结构下可以作到尺寸更小，同时功能更强，读出速度更快及可编程速度更快。

Elpida计划把NAND闪存与移动RAM结合一起销售移动消费类产品。除此之外，Spansion正开发用于嵌入式及选择无线市场的NAND，以及继续生产和销售它的NOR闪存产品给汽车电子、消费电子、通讯、工业和选择无线市场中的客户。

Elpida的CEO Yukio Sakamoto表示Elpida己经试制出电荷俘获型NAND样品，并取得很好的结果。所以将尽我们之可能加速进行量产。Elpida计划于2010 Q4提供1.8V 4Gb的新NAND样品，并于2011年Q1开始量产，并同时开发2Gb及1Gb的新NAND产品。

Spansion计划2011 Q1提供样品及Q2进行量产。两个公司都正在开发3.0V的1Gb，2Gb and 4Gb产品。为了满足客户需求，Elpida 和Spansion开始合作生产电荷俘获型NAND闪存，而且公司正在开发全系列的NAND闪存产品。