先进制程的挑战在曝光与平坦化技术

先进制程的挑战在曝光与平坦化技术

芯片走向极小化、多任务、高效能且低价的态势已不可改变。在后摩尔定律时代，芯片走向20nm，甚至14nm和10nm制程技术，曝光技术将是驱动半导体业成长的关键，而其他如制程、设备、和材料也将扮演着相当关键角色。台积电(2330)资深处长林本坚表示，曝光技术将成为先进制程未来发展的挑战，如何能透过技术提升，缩减20奈米的曝光成本，将成为当前重要课题，供应链合作创新也将成共识。
　　
此外，平坦化技术(CMP)则是32nm以下制程的关键，新的晶体管结构和像是TSV等新的封装技术都必须倚赖先进的平坦化技术才能达成，Entegris新事业发展副总裁 ChristopherWargo表示，越先进制程所需的平坦化技术更高，因此CMP不容忽视。ChristopherWargo认为，不只有抛光垫片、研磨液重要，其他在制程中需要的所有的耗材，都对于平坦化技术有很大的影响。