MOCVD激增引发LED产业风险

MOCVD激增引发LED产业风险

目前，由于GaN基LED的质量和价格的原因，还只能是在特种照明上起作用。努力提高质量和降低价格，使之尽快进入普通照明领域，是最重要的任务。

近年来LED光源效率提高很快，过去6、7年间提高了4～5倍，同时成本也在不断下降，而且下降非常快，企业为规避风险在新一轮投资和扩产中应充分考虑这一发展趋势。

当前LED的主要技术问题是提高发光效率、降低光衰与降低成本。从前几年完成的技术指标情况看，半导体照明技术的发展，比原计划快得多。商品化LED发光效率产品已达130lm/W。

当前采购成本高是绿色照明的主要障碍。对中国大陆LED产业发展，建议要让突破性新技术萌芽、成长，新技术不仅是大幅降低成本的手段，而且是自主创新的核心。

LED的发明者Holonyak2000年在美国物理学会会刊J.P.S上以“发光二极管是灯的最终形式吗？”为题发表文章称：“原则上发光二极管是灯的最终形式，实际上也是如此，它的发展能够而且将继续到所有功率和颜色都实现为止，了解这一点极为重要。”10年过去了，这一观点正在得到印证。LED照明应用正在快速发展，技术也在不断取得突破。在9月9日召开的“第十二届全国LED产业研讨与学术会议”上，我们看到，我国LED工艺技术取得了快速进步，但同时，硬件设备正在成为发展瓶颈，特别是MOCVD(有机金属化学气相沉积)等核心设备正在制约产业的发展。

工艺技术进步快硬件设备待突破

我国LED工艺技术确实进步较快，特别是硅衬底LED的快速进步，引来业界众多关注的目光。在LED工艺技术快速推进的同时，硬件设备却未见突破，核心装备特别是MOCVD设备正在成为产业发展瓶颈。由MOCVD设备引发的投资热潮，正在成为业界普遍关心的焦点问题。

自2003年国家启动半导体照明工程以来，我国半导体照明产业和技术取得显著进步，初步形成了上中下游比较完整的研发和产业体系，进入快速发展阶段。以企业为主体的LED制造技术进步较快，企业产业化线上完成的功率型芯片封装后光效达到80lm/W～100lm/W。具有自主知识产权的功率型Si衬底LED芯片封装后光效达到78lm/W，处于国际先进水平。

目前国际上GaN基LED产业主流的衬底是蓝宝石，也有少量公司使用SiC衬底及Si衬底。Si衬底价格低廉，导电性能优良，但是Si与GaN的失配很大，外延出的GaN位错密度较高，而且很容易发生龟裂，要获得高质量的GaN外延层非常困难。最近南昌大学在Si衬底上生长GaN基蓝光LED方面取得了较大进展，光效达到了116.7流明，达到了同类产品的最高水平。

LED工艺技术进步非常快，在工艺技术快速进步的同时，硬件设备并未获得突破，特别是没有成熟的国产设备，大量核心的设备需要进口，严重制约了LED技术和产业的发展。

MOCVD设备进口激增产业发展风险凸显

据不完全统计，国内大约30个单位已经公示或正在筹建LED外延芯片项目。其投资购买MOCVD设备的数量在1400台～1600台，而实际较可能的数量也有500台～600台。

工业和信息化部电子信息司副巡视员关白玉强调，LED进入照明领域，集中体现了多技术融合的特点，属于高端技术和产品，需要具备较强的产业基础和技术基础来支撑发展和相关应用，希望投资者对此能够有充分的认识，做好市场分析和产品定位，做好投资计划和投资方案，有效规避投资风险。

上海大晨光电科技有限公司副总经理岳建水分析认为，整个LED产业随着技术提升、专业化的发展、品牌的确立，必然由纷纷涌入的“游击战”，发展到大投资进入的“阵地战”，再到品牌引领的“系统战”。因此，产业集中度会愈来愈高。这个过程中，资本成为最大的推手。产业洗牌和整合势在必行。