美光和英特尔率先25纳米硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND 闪存

美光和英特尔率先25纳米硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND 闪存

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)今天联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存，该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。 

与竞争对手 USB、SD （Secure Digital） 闪存卡和消费电子产品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备（数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑）之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。

由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies（简称 IMFT） 所开发的这项 64Gb（或8GB）25nm 光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特（单层存储单元）或2比特（多层存储单元）。业内也将3bpc称为三层存储单元（triple-level cell, 简称 TLC）。

该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC（多层存储单元）相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个 8GB 设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米，符合行业标准 TSOP（薄型小尺寸封装）封装。

美光 NAND 解决方案事业部副总裁 Brian Shirley 说：“鉴于 NAND 闪存对消费电子产品的重要性日益显著，我们将及早向 25nm TLC 过渡视为不断扩大 NAND 存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括 Lexar Media（雷克沙）和美光的更高容量终端产品的设计，来打造符合要求的 8GB TLC NAND 闪存产品。”

英特尔副总裁兼NAND 解决方案事业部总经理 Tom Rampone 表示：“自业界尺寸最小的 25nm 芯片在1月问世，25nm 3bpc 产品也紧随其后，我们将继续加速向前发展，为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel 计划在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 设备的基础上，利用 IMFT 在设计和制造上的优势，为我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”