海力士2011年资本投资26亿美元
来源：DigiTimes 作者：—— 时间：2010-12-29 09:44
据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
相关文章
- •SK海力士开始使用EUV大规模生产1anmDRAM2021-07-13
- •兆易创新 虎口夺食三星海力士2021-05-08
- •海力士成为英特尔“知性接盘侠”，全球NAND格局何以生变？2020-10-20
- •SK海力士，第三代10纳米DDR4 DRAM 开发2019-10-22
- •传海力士与英特尔谈判 欲收购大连厂及3D NAND业务 2019-07-12
- •SK海力士宣布：全球首款128层4D NAND下半年开卖2019-06-27
- •SK海力士二期存储芯片封装测试项目主体建筑已建成2019-05-15
- •韩国两大半导体巨头去年第四季度业绩惨淡2019-01-24
- •2018年全球营收前十半导体公司：高通仅第六 三星碾压Intel居榜首2019-01-17
- •存储器价格持续降低，三星与SK海力士业绩不乐观2018-12-20
