SK海力士开始使用EUV大规模生产1anmDRAM
7月12日,SK海力士官方给出消息称,开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法,公司的第四代10nm(1a)级工艺的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移动端 DRAM(动态随机存储器)产品已经在今年7月初开始量产。
SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端DRAM。
10nm级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名,第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm,SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是,SK海力士通过部分采用了EUV(极紫外)技术,完成了对其稳定性的验证,首次使用EUV光刻设备进行量产。
SK海力士期待新技术能带来生产力的提升,并进一步提升成本竞争力。该公司预计,与之前的1z nm节点相比,1anm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%。SK海力士预计,随着全球DRAM需求的增加,1anm DRAM也可能有助于缓解全球市场的供需状况。
SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来,三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品,但美光会更晚一些,按计划要等到2024年。
去年SK海力士宣布斥资90亿美元(约合600亿元)收购Intel闪存部门,合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头,六大原厂将减少为五家。
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