尔必达瑞晶垂直晶体管结构DDR3芯片试产成功

尔必达瑞晶垂直晶体管结构DDR3芯片试产成功

日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2 DRAM芯片产品。两家公司目前已经合力成功制造出了基于65nm设计准则的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片产品。

这种由尔必达和瑞晶共同开发的4F2内存芯片采用垂直型晶体管架构构建，内存芯片的bitlline和wordline则在硅片中成型。晶体管单元的面积可控制在2FX2F(F为晶体管中最小的图形尺寸)。比较6F2架构设计的内存晶体管，4F2架构晶体管单元的面积可降低30%，而芯片的产出量则可达到尔必达50nm制程产品的水平。另外，芯片具备优秀的数据保持特性以及所采用的垂直型晶体管结构也将成为制造下一代DRAM芯片的必要技术。同时，4F2架构还可以满足低功耗移动设备用DRAM的需求。(关于4F2/6F2架构的更多解释，读者可参阅我们之前的这篇文章)

尔必达CEO Yukio Sakamoto表示：“本次成功试产4F2内存芯片时，我们所采用的基础性技术将成为开发下一代20nm及更高规格内存芯片必备的关键技术。而尔必达和瑞晶的共同合作则是我们成功的首要因素，现在我们已经站在了内存芯片工业的前列。”

这次4F2架构内存芯片的开发是在分别来自尔必达和瑞晶两家公司的日台工程师紧密合作下开发出来的。