半导体投资两极化　三星海力士资金雄厚投资积极

半导体投资两极化　三星海力士资金雄厚投资积极

韩国半导体业者2010年营收成绩亮眼，2011年也将积极进行投资计划。相对的，日本及台湾企业投资额则较2010年减少60~70%，投资转为保守。在半导体事业上，投资规模与微细制程的进展及价格竞争力等息息相关，韩国业者认为2011年韩国与台、日厂的存储器竞争力差距将会更大。

三星电子(Samsung Electronics) 2011年计划投资10.3兆韩元(约91.57亿美元)发展半导体事业，与2010年的11兆韩元规模相当。该公司2011年总投资额当中，对DRAM 等存储器的投资金额为5.8兆韩元(约51.56亿美元)，较2010年的9兆韩元减少约35%，然2010年三星有建设新产线等特别投资项目，因而三星 2011年的投资规模仍不可小觑。2009年三星的存储器投资金额约4兆韩元。三星相关人员表示，2011年虽提高了系统芯片投资比重，但存储器方面也将会持续进行大规模的投资。

海力士半导体(Hynix) 2010年在存储器事业方投资了3.8兆韩元(约33.78亿美元)，2011年投资规模也相当，约3.4兆韩元(约30.23亿美元)，且大部分资金将使用在转换微细制程方面。

日本、台湾业者2011年投资规模缩减幅度较韩国大许多。此外，不只投资规模缩小，在绝对金额方面，韩国企业也超越其它竞争业者。全球排名第3的日本 DRAM业者尔必达(Elpida)近来表示2011年将投资400亿日圆(约4.82亿美元)，较2010年投资额1,150亿日圆(约13.86亿美元)缩减约65%。

台湾业者的情况也很相似。台湾华亚科技投资额从2010年新台币550亿元，2011年缩减了69%至170亿元。南亚也从新台币230亿元投资额减半至120亿元。

外电指出，韩国企业与台、日业者间的投资差距，在2011年下半营收出现差距后，现金财力等差异将更大。2010年第4季三星半导体事业部及海力士营业利益各为1.8兆韩元(约16亿美元)及4,180亿韩元(约3.72亿美元)。日厂尔必达则出现269亿日圆(约3.25亿美元)亏损，台厂南亚也出现新台币87.39亿元的赤字。

2011年投资的差异将会使韩国、台湾及日本业者间的竞争力差距更明显，存储器芯片投资大部分皆已进入转换微细制程，因此价格竞争力也将更大。