英特尔发布22nm技术 采用Tri-Gate晶体管
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-05-05 09:13
英特尔于5月4日宣布将在22nm节点采用“Tri-Gate”(三栅)晶体管技术,实现了历史性的技术突破。
据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升,并且可以更节能,新技术将用在未来22纳米设备中,包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。
英特尔展示了22纳米处理器,代号为Ivy Bridge,它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。
英特尔CEO欧德宁说:“英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管,这一次利用了3D架构。很让人震惊,改变世界的设备将被创造出来,我们将把摩尔定律带入新的领域。”
长久以来,科学家就认识到3D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管,从而进入到摩尔定律的下一领域。
摩尔定律认为由于硅技术的发展,每2年晶体管密度就会翻倍,它能增强功能和性能,降低成本。在过去四十年里,摩尔定律成为半导体产业的基本商业模式。
通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低漏电下运行,从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外,在相同的性能条件下,新的晶体管耗电不及2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。
首款3-D Tri-Gate晶体管22纳米芯片代号为Ivy Bridge,英特尔展示了该芯片,它能用在笔记本、服务器和台式机中。Ivy Bridge家族的芯片将成为首个大量生产的3-D Tri-Gate晶体管芯片,它将在年底开始量产。3-D Tri-Gate晶体管还将用在凌动芯片中。
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