IR推出新款PQFN封装功率MOSFET

IR推出新款PQFN封装功率MOSFET

国际整流器公司扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。

　　新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择，并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间，采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。

　　IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列，也可以满足我们客户的需求，进一步缩小封装尺寸，并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度，非常适合于高度数字化内容相关的应用。”

　　这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新器件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面贴装技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。