英飞凌展出配备SiC JFET的功率模块等

英飞凌展出配备SiC JFET的功率模块等

德国英飞凌科技在东京举行的展会“智能电网展2011&新一代汽车产业展2011”（举办期间：2011年6月15日～17日）上，展出了各种功率模块。比如，配备SiC JFET的产品和延长了功率循环寿命的产品等。

功率模块将耐压为1200V、导通电阻为100mΩ的SiC JFET配备于3枚芯片上。外形尺寸“约为2～3mm见方”（解说员）。每枚芯片的电流容量为10Ａ。

由于SiC JFET常开工作，因此为实现常开化进行了多段连接。将用于多段连接的30V耐压p通道硅MOSFET配备于2枚芯片上。利用英飞凌名为“直接驱动”的方法，直接开关SiC JFET进行驱动。与开关多段连接的MOSFET进行控制的方法相比，可降低接通时的环状噪声。

英飞凌计划在2011年内分别上市利用SiC JFET的功率模块产品和采用TO220等封装的SiC JFET芯片。模块尺寸约为63mm×34mm×16mm（含端子等在内）。

功率循环寿命延至10倍

在会场上，英飞凌还展示了功率循环寿命延至原产品10倍的功率模块。采用了名为“.XT”的技术。通过改变功率半导体芯片的键合引线材料、以及改进芯片与DCB基板之间的接合技术，延长了功率循环寿命。

此次，英飞凌将键合引线的材料由铝改为铜。一般情况下，使用铜“除了材料费较高外，还存在容易氧化、很难做成锡球等技术方面的课题”（解说员）。该公司没有公布详情，不过称现已解决该课题，提高了产品的可靠性。该公司表示，利用铜线的键合技术已用于其MOSFET等，此次就是以该技术为基础的。

另外，英飞凌为接合功率半导体芯片和DCB基板采用了名为“扩散焊接方式”的方法。由于与普通方法相比，焊锡层较薄并且热阻较小等，能提高产品的可靠性。

英飞凌在会场上展示了利用上述.XT技术的耐压1200V、电流900A的IGBT功率模块。