索尼爱立信PLAY Z1i评测 PSP安卓游戏手机
来源:华强手机制造网 作者:—— 时间:2011-07-08 13:37
索尼爱立信PLAY Z1i的滑动感觉还是十分舒适的,双手上推,可以感到非常良好的阻尼感。在推开滑盖后,手机会默认进入游戏功能中,翻到滑盖背部可以看见左右两侧分置了双滑轨,所以有此良好的舒适感觉。
实体游戏键盘区域,索尼爱立信PLAY Z1i将索尼PSP掌机的经典传承,无论是左边的方向按键还是右侧的“△□×○”功能键都设计的非常相似,而且使用手感非常出色。当然,这款手机的设计其实更倾向于PSP Go。
同时,我们还可以看到掌机中常见到的“SELECT选择键”和“START开始键”,使得PLAY Z1i完全成为了一款优质的游戏型手机。但毕竟PLAY Z1i不是完全的PSP,随意还安放了一枚功能键,方便设置。
索尼爱立信PLAY Z1i四周细节上加入了金属元素,这样势必为机身提供了时尚感和重量。先说手机的右侧机身方,也就是横屏游戏时的顶部区域,可以看到PSP掌机中的“L”和“R”键,在一些需要多按键的游戏中,充分起到了用途。而且两枚按键并不是实实的贴紧在侧边,留有一定空间的两枚按键实际使用感优秀。
同时,在两枚按键中间的区域,还设计有音量调节按键,采用金属质地。
索尼爱立信PLAY Z1i手机左侧环节方面,设计有3.5毫米的标准耳机听筒和MicroUSB数据线接口。
顶部位置上,索尼爱立信PLAY Z1i设计了电源开关键,在推开滑盖后,这枚按键由于键程原因按动比较吃力;手机底部位置,则是挂饰孔。
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- Vishay SMD聚合物PTC热敏电阻实现快速可复位过流保护,同时提升效率
- Melexis推出全球首款2线输出2位霍尔开关
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- MathWorks推出全新瑞萨硬件支持包,助力汽车和工业工程师快速构建嵌入式系统原型
- 兆易创新亮相SNEC光伏展,以光储充全场景应用赋能数字能源变革
- 全球TOP10 MLCC厂商业绩大PK
- 安森美赋能下一代AI工厂
- Qorvo推出全新宽带高隔离度开关系列产品,消除5G无线电级联架构
- 助力新一代电源设计,大联大诠鼎携手安森美详解高整合快速开发电源平台
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- 摩尔斯微电子发布高功率Wi-Fi HaLow模组MM8108-M20,加速远距离物联网规模化应用
- 兆易创新亮相SNEC光伏展,以光储充全场景应用赋能数字能源变革
- 安森美赋能下一代AI工厂
- Qorvo推出全新宽带高隔离度开关系列产品,消除5G无线电级联架构
- Vishay SMD聚合物PTC热敏电阻实现快速可复位过流保护,同时提升效率
- Melexis推出全球首款2线输出2位霍尔开关
- Vishay特种薄膜业务部门推出薄膜金属化基板平台
- 今年最大国产芯片IPO,重启!|长鑫科技
- Melexis推出集成DC/DC转换器的LIN RGB驱动芯片,简化汽车照明设计
- 内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"
- 东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
- 东芝发布支持PCIe 6.0与USB4 2.0版等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关
- 思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器
- Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- Wolfspeed 新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列,助力应对能源需求的激增
- Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散






