东芝半导体新战略 致力BSI型CMOS传感器

东芝半导体新战略 致力BSI型CMOS传感器

东芝2011年7月合并了原半导体公司和存储产品公司，成立了半导体与存储器公司。主要目的是，利用NAND闪存的技术经验，开发整合了SSD（solidstatedrive）和硬盘的高性能存储技术，并计划利用MRAM技术进一步提高其性能。

    东芝预测，以数据中心为核心，集成存储技术的需求今后将暴增，因此加快了NAND闪存的微细化和三维单元技术的开发。不过，NAND闪存还存在访问性能低的课题。因此，打算将可兼顾DRAM相当的高速性和“1015次”擦写次数的MRAM,用于NAND闪存的缓存等。

    东芝计划，通过量产速度与DRAM相当的MRAM,进一步扩大NAND闪存和硬盘市场。图由本刊根据东芝的资料制作。

    “通过组合使用高速MRAM,可以大幅提高NAND闪存和硬盘的实际访问性能”。东芝以2014年投产为目标，推进了MRAM的技术开发，将来还计划用于产品的工作存储器。