飞兆半导体推出PowerTrench® MOSFET器件

飞兆半导体推出PowerTrench® MOSFET器件

       便携产品的设计人员通常在设计的每个阶段都会面对减小空间和提高效率的挑战。在超便携应用等使用单节锂离子电池的产品中，这是一个特别重要的问题。为了帮助设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司开发出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。

       FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超便携应用而设计，具有N沟道共漏极MOSFET特性，能够实现电流的双向流动。FDMB2307NZ采用先进的PowerTrench工艺，具有高功率密度，并在VGS = 4.5V, ID = 8A条件下具有最大16.5m?的Rss(on)，从而获得更低的导通损耗、电压降和功率损耗，并且相比竞争解决方案，具有更高的总体设计效率。FDMB2307NZ还具有出色的热性能，使得系统工作温度更低，进一步提高了效率。

       新器件采用2x3mm2MicroFET?封装，为设计人员带来了现有最小的MLP解决方案之一，相比目前常见的解决方案减小40%，显著节省了客户设计的线路板空间。FDMB2307NZ满足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防护功能。

       飞兆半导体通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中，为便携产品用户提供了重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。