英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存

       英特尔和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。

       两家公司声称，他们开发出了全球首款独立型128Gb存储器，并表示将立即使用相同的制程量产20nm的64Gb NAND闪存元件，而新的128Gb元件预计2012上半年量产。

       英特尔与美光并未描述20nm制程细节，而其他存储器制造目前的制程技术也进展到20~29nm之间。过去曾有报导指出英特尔与美光采用25nm制程开发64Gb的NAND闪存。

       新元件是由英特尔与美光的合资公司IM Flash Technologies(IMFT)开发。尽管两家公司并未说明新元件的每个单元包含多少字节，但这款128Gb的存储器在每个单元中使用了多层感测(multilevel sensing)技术。两家公司同时表示，新元件也首次使用了平面单元架构，藉由在NAND生产过程中整合HKMG栅极堆叠，克服了标准浮栅NAND闪存上的缩放限制。英特尔已经在数个逻辑制程节点中使用过HKMG栅极堆叠晶体管，但相信这是首次应用在存储器元件中。

       英特尔与美光表示，他们将于12月量产20nm的64Gb NAND闪存，并预估2012年可转换至量产128Gb元件。128Gb元件的样品将在明年1月就绪，紧接着于明年上半年量产。

       新的128Gb存储器可支持智能手机、平板电脑和固态硬盘等应用中333MT/s的传输要求。而采用8个128Gb晶粒的存储器模组将可提供Terabit等级的储存容量。“很高兴见到英特尔-美光的合资公司再次领先推出高密度、低成本的20nm NAND元件，”英特尔副总裁暨非挥发性存储器解决方案部门总经理Rob Crooke说。