较低工作效率的单片机选择方案

较低工作效率的单片机选择方案

　　选择合适的的di/dt开关特性，可通过仔细选择驱动能力的大小和控制电压摆率来实现。最好的选择是使用一个与负载无关的恒定的电压摆率输出缓冲器。同样的预驱动器输出的电压摆率可以减少(即上升和下降时间可以增加)，但是相应的传播延迟将增加，我们需要控制总的开关时间)。

　　2.2使用单片机的可编程的输出口的驱动能力，满足模块实际负载要求。

　　可编程的输出口的驱动器的最简单是的并联的一对驱动器，他们的MOS的Rdson不能，能输出的电流能力也不相同。我们在测试和实际使用的时候可以选择不同的模式。实际上目前的单片机一般至少有两种模式可选择，有些甚至可以有三种(强，中等，弱)

　　2.3当时序约束有足够的余量的时候，通过降低输出能力来减缓内部时钟驱动的边沿。

　　减少同步开关的峰值电流，和di/dt，一个重要的考虑因素就是降低内部时钟驱动的能力(其实就是放大倍数，穿通电流与之相关型很大)。降低时钟边沿的电流，将显著改善EMI。当然这样做的缺点就是，由于时钟和负载的开通时间的变长使得单片机的平均电流可能增加。快速边沿和相对较高的峰值电流，时间更长边沿较慢的电流脉冲这两者需要做一个妥协。

　　2.4晶振的内部驱动(反向器)最好不要超过实际的需求。

　　这个问题，实际上前面也谈过了，当增益过大的时候会带来更大的干扰。

　　3 设计最小穿通电流的驱动器

　　3.1 时钟，总线和输出驱动器应尽可能使得传统电流最小

　　穿通电流【重叠电流，短路电流】，是从单片机在切换过程中，PMOS和NMOS同时导通时候，电源到地线的电流，穿通电流直接影响了EMI和功耗。

　　这个内容实际上是在单片机内部的，时钟，总线和输出驱动器，消除或减少穿通电流的方法是尽量先关闭一个FET，然后再开通一个FET。当电流较大时，需要额外的预驱动电路或电压摆率。