五种技术缓解未来十年内晶片功耗问题

五种技术缓解未来十年内晶片功耗问题

      “与快闪记忆体相较，我们非挥发性的FRAM在读写能耗方面更高效。”TI无线事业部CTO Baher Haroun指出。Enpirion公司也在其CMOS产品线中导入磁性材料，并计划于2012年开始为其电源管理晶片制造整合型电感与变压器。目前，电感和变压器还无法更经济地整合在必须于高频作业的晶片上，但Enpirion公司专有的磁性材料已经着眼于解决这方面的问题。
      “我们已经整合了不同的金属合金，使我们的磁性材料可在很高的频率下执行作业，同时还能保持高能效。”Enpirion公司的Lotfi透露。
      与此同时，Semiconductor Research公司最近资助了IBM和美国哥伦比亚大学共同进行的一项研究计划──将电感整合于处理器上。该公司声称能透过晶片稳压功能在奈秒级时间内调节供电电压，实现工作负载匹配，因而使能耗降幅高达20%。在不远的将来，CMOS产品线还可能增加的其它近期材料包括砷化铟镓(InGaAs)。英特尔公司计划使用InGaAs增强未来三闸电晶体上的通道，据称此举可望使工作电压降低至0.5V。然而，长期来看，碳奈米管和平面版的石墨烯很可能成为未来超低功耗元件的首选材料。