武汉华灿启动第三期LED外延芯片扩产项目

【高工LED专稿】 日前，高工LED记者从武汉市环保局获悉，武汉华灿光电于2011年1月26日正式对外第三期LED外延芯片建设项目环境影响评价公示。

2006年武汉华灿光电有限公司投资约1.5亿元建设“光电半导体照明LED一期建设项目”，设计年产普通蓝、绿光LED器件12亿只、大功率LED器件1.2亿只。目前公司位于武汉东湖新技术开发区武汉大学科技园内，占地160多亩。

公司于2010年6月在一期工程基础上，投资约3.1亿元新建厂房、购置相关生产设备实施光电半导体照明LED二期项目，二期扩建项目完成后，武汉华灿光电有限公司LED器件的年生产能力将达到96亿只。目前二期扩建工程土建部分正在建设中。

公司拟实施“第三期LED外延芯片”建设项目，本项目新增年产LED芯片220亿只的生产能力，“第三期LED外延芯片”建设项目完成后，全厂LED芯片生产能力将达到316亿只/年。