德泓获“HVPE法生长GaN衬底”所有技术授权

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，中国科学院上海微系统与信息技术研究所与德泓(福建)光电科技有限公司正式签订《技术转让合同》和《技术开发协议书》。
 
根据协议，中国科学院上海微系统与信息技术研究所“HVPE法生长GaN衬底技术”的所有知识产权，包括与此相关的已授权和正在申请的专利以及双方认可的关键技术将全部转让给德泓光电。
 
据悉，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员于广辉经过8年的研究，共获得相关发明专利授权11项，另有3项已受理发明专利正在审查之中，多项技术处于国际先进水平。
 
于广辉指出，这些关键技术成果一旦产业化，将大大降低大功率LED用GaN同质衬底成本，大大提高LED照明产品的性价比和综合优势，对推广并普及LED照明产品具有深远的意义。
 
据德泓光电总经理王勤荣介绍，今后两年双方还将合作开展“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”，组织项目的实施、推广，形成产业化。