美国玫瑰街实验室首个证实InGaN-on-Si长波LED设备

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，美国玫瑰街实验室对外宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备，较于传统蓝宝石或SiC衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比，由于量子效率的下降，制造绿光LED以及长波氮化物基LED极具挑战性。
 
玫瑰街实验室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)将负责绿光LED和长波LED的封装。FCL在封装半导体功率器件方面具有丰富的经验，其分布于全球的制造厂将为该实验室提供专属的LED设备封装解决方案。
 
该公司表示，InGaN-on-Si长波LED具有高强度、低能耗和商业成本极低的优点，预计未来2-3年中该技术可实现在200毫米硅衬底上生产InGaN-on-Si的LED设备，商业前景广阔。此外，玫瑰街实验室还初步证实了可将光线调整为多色光和白光光谱。
 
据悉，美国玫瑰街实验室位于亚利桑那州凤凰城，是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。