Translucent推出直径100mm vGaN晶片模板 明年可实现200mm

【高工LED专稿】 【高工LED讯】Translucent是一家REO供应商，近日宣布其vGaN(虚拟氮化镓)系列硅基晶片模板的商业可行性，使得工业标准MOCVD生长过程首次与低成本结构以及硅工业规模效应接轨。vGaN产品为LED及FET(场效应晶体管)提供了一个低成本高质量的外延型GaN器件生长面。

Translucent称，其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展REO基GaN衬底“III-N半导体”的生产源。透明REO层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表现突出。此外REO层的宽能带隙使vGaN衬底FET拥有了更高的崩溃电压特性。

Translucent介绍，vGaN平台是一种硅基科技，可有效利用已成熟的低成本的硅衬底科技。并期望vGaN能给GaN基LED和FET带来真正的效益。

GaN生长于蓝宝石衬底，而蓝宝石衬底在大直径尺寸下(200mm或更多)成本高昂，这使得低成本大直径硅衬底成为LED和FET产业规模生产的首选。

Translucent还介绍，vGaN晶片已经可以做到直径100mm，预计明年实现生产规格150mm和200mm。