晶能光电硅基大功率芯片光效突破120lm/W

【高工LED专稿】 【文/高工LED记者 胡燕玲】2012年6月12日，晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率LED芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/W，主要应用于室内、室外和便携式照明市场。
 
晶能光电CEO王敏表示，此次推出的大功率产品已经有20多家客户试用，这是晶能光电继3年前实现硅基小功率LED芯片规模化量产以后，在硅基LED技术领域取得的又一重大进展。
 
同时，晶能光电一直致力于大尺寸硅基LED技术的研究，并在6寸硅基LED的研发上取得了巨大的进展。王敏透露，公司计划在12个月内把目前2寸的生产转移到6寸，6寸硅基LED计划在2013年可实现量产。根据著名的海兹定律，预计LED亮度成倍增加，而成本将成倍减少，这将更加凸显硅基LED技术的大规模制造优势和成本优势。
 
晶能光电拥有的硅基LED技术，具有完整的自主知识产权，目前已公开或获得国际国内各种专利超过200项，在蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外，形成了第三条半导体照明技术路线。
 
相比蓝宝石衬底、碳化硅衬底技术，硅衬底技术具有材料成本低、器件散热性能好、结构简单等综合优势。
 
金沙江创投基金创始人兼董事总经理、晶能光电董事长伍伸俊说，在固态照明市场即将全面爆发的前期，晶能光电适时推出可量产的硅基大功率LED芯片，发展前景非常可观。