Plessey订购爱思强MOCVD系统用于生产高亮度LED芯片
来源:高工LED综合报道 作者:--- 时间:2012-06-13 00:00
【高工LED综合报道】 6月12日,爱思强宣布Plessey Semiconductors Ltd向其订购一套新MOCVD系统。该订单是Plessey一系列可随时投产的7x6英寸晶片规格的CRIUS® II-XL反应器之中的第一项,这些反应器将用于生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)高亮度LED芯片。
Plessey指出CRIUS® II-XL反应器将为其实现LED材料的全面生产奠定基础。该公司计划利用在普利茅斯的6英寸集成电路生产线,在大面积硅衬底上生产Plessey的LED品牌MAGIC (MAnufactured on GaNICs)。爱思强最新的CRIUS®技术拥有符合其要求的众多优势,例如在6英寸硅衬底和8英寸硅衬底上生产氮化镓外延层性价比最高的技术。
爱思强表示已做好全面准备,协助解决Plessey带来的各种技术挑战,期待见证LED市场的新浪潮。
据悉,Plessey宣布计划在未来六个月内推出低成本“MAGIC”超高亮度LED产品,以取代白炽灯泡市场。公司还计划开发一系列结合Plessey现有的独特传感和控制技术的智能照明产品。
Plessey表示有能力生产世界级的LED,推出市场迫切需求的低价高性能LED照明产品。2012年2月,该公司成功收购剑桥大学的衍生公司Cam GaN,现正致力建设硅基氮化镓技术的全面商业开发能力。此外,Plessey计划于2012年第三季度底前开始早期试产,在2013年第二季度前实现全面生产。
Plessey指出CRIUS® II-XL反应器将为其实现LED材料的全面生产奠定基础。该公司计划利用在普利茅斯的6英寸集成电路生产线,在大面积硅衬底上生产Plessey的LED品牌MAGIC (MAnufactured on GaNICs)。爱思强最新的CRIUS®技术拥有符合其要求的众多优势,例如在6英寸硅衬底和8英寸硅衬底上生产氮化镓外延层性价比最高的技术。
爱思强表示已做好全面准备,协助解决Plessey带来的各种技术挑战,期待见证LED市场的新浪潮。
据悉,Plessey宣布计划在未来六个月内推出低成本“MAGIC”超高亮度LED产品,以取代白炽灯泡市场。公司还计划开发一系列结合Plessey现有的独特传感和控制技术的智能照明产品。
Plessey表示有能力生产世界级的LED,推出市场迫切需求的低价高性能LED照明产品。2012年2月,该公司成功收购剑桥大学的衍生公司Cam GaN,现正致力建设硅基氮化镓技术的全面商业开发能力。此外,Plessey计划于2012年第三季度底前开始早期试产,在2013年第二季度前实现全面生产。
相关文章
led
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- Vishay NTC浸入式热敏电阻为液冷汽车系统提供1.5秒快速响应时间
- 元器件终端市场洞察及机会分析|202506
- 瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆
- Arm 洞察与思考:AI 技术破解创新与环境可持续发展难题
- 瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力
- Vishay CHA系列通过AEC-Q200认证的薄膜片式电阻现推出0402外壳尺寸
- 大联大世平集团推出以NXP产品为核心的HVBMS BJB方案
- 适用于高速应用的先进全局快门图像传感器
- IDM龙头破产,该行业有哪些变局和机会?
- 摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证
- 元器件终端市场洞察及机会分析|202506
- IDM龙头破产,该行业有哪些变局和机会?
- Arm 洞察与思考:AI 技术破解创新与环境可持续发展难题
- 瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆
- Vishay NTC浸入式热敏电阻为液冷汽车系统提供1.5秒快速响应时间
- 瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力
- 大联大世平集团推出以NXP产品为核心的HVBMS BJB方案
- 适用于高速应用的先进全局快门图像传感器
- Vishay CHA系列通过AEC-Q200认证的薄膜片式电阻现推出0402外壳尺寸
- 摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证