LED八英寸氮化铝封装芯片将亮相台湾照明展
由中山科学研究院与台积电子公司采钰科技共同研发的八英寸晶圆级LED氮化铝封装芯片，将从3月18日起在台湾国际照明科技展公开展出。
中科院介绍，该八英寸晶圆级LED金属氮化物基板为全球第一片，过去台湾依赖日本生产的4.5寸氮化铝芯片，而8寸制程效率是4.5寸三倍，有望打破日本垄断基板制程技术的局面。
由中山科学研究院与台积电子公司采钰科技共同研发的八英寸晶圆级LED氮化铝封装芯片，将从3月18日起在台湾国际照明科技展公开展出。
中科院介绍，该八英寸晶圆级LED金属氮化物基板为全球第一片，过去台湾依赖日本生产的4.5寸氮化铝芯片，而8寸制程效率是4.5寸三倍，有望打破日本垄断基板制程技术的局面。