國星光電承擔的「大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片製備及封裝技術」項目獲撥中國國家專項經費

國星光電承擔的「大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片製備及封裝技術」項目獲撥中國國家專項經費

國星光電(002449)於近日收到國科發財(2011)129號《關於下達2011年度國家高技術研究發展計劃第一批課題經費預算的通知》，現將有關情況公告如下：

1、按照科技部、財政部對國家高技術研究發展計劃(863計劃)專項經費的總體安排，由南昌大學牽頭、國星光電等單位共同承擔的國家863計劃項目「大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片製備及封裝技術」，獲得專項經費預算5,565萬元，本次核撥專項經費3,339萬元，其中國星光電經費分配比例為7.5%。公司已於近日收到專項經費250.43萬元，該筆款項將專用於「大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片製備及封裝技術」。

2、按照科技部、財政部對國家高技術研究發展計劃(863計劃)專項經費的總體安排，由揚州中科半導體照明有限公司牽頭、國星光電等單位共同承擔的國家863計劃項目「基於垂直結構的高效白光LED外延芯片產業化製備技術研究」，獲得專項經費預算1,383萬元，本次核撥專項經費830萬元，其中國星光電經費分配比例為12%。公司已於近日收到專項經費99.6萬元，該筆款項將專用於「基於垂直結構的高效白光LED外延芯片產業化製備技術研究」。

本次收到的專項經費公司將根據《企業會計準則》的規定，計入「遞延收益」科目，對公司當期損益不會產生重大影響。