大功率GaN基LED制造技术”课题通过验收

    该课题重点研究了SIC衬底成核层生长、衬底去除、反射镜制备、表面粗化、欧姆电极制备和芯片切割等关键技术，在EBL层AL组分渐变、非对称量子垒、极化效应抑制等技术方面实现了突破与创新。课题研发的SIC基大功率LED芯片，光输出功率达到350MW以上，封装后白光光效达到109LM/W。目前，课题承担单位已对LED芯片进行了小批量生产，产品质量稳定。

    该课题的顺利实施，将进一步推动我国基于SIC衬底半导体照明技术的发展，为缩小与国外高端产品的差距奠定了良好基础。