英特尔Haswell提升电池寿命和绘图效能

英特尔Haswell提升电池寿命和绘图效能

       在2012 IDF上，英特尔(Intel)介绍了首款采用其22nm三闸极(tri-gate)电晶体制程的崭新架构──新一代处理器Haswell，强调可强化电池使用寿命和绘图效能。

       英特尔架构部门总经理Dadi Perlmutter表示，双核心和四核心的客户端版本Haswell 将在今年四月随PC出货。他指出，该晶片的早期版本在一款原型系统上执行时，功耗便已低于8W，远低于英特尔现有Sandy Bridge 处理器的17W。

       Linley Group公司资深分析师兼《微处理器报告》编辑Kevin Krewell表示，新处理器对许多消费者带来的最直接影响，将会是更长的电池寿命和更好的绘图性能。然而，除非你去最佳化和编译该晶片的强化AVX2程式码，否则你无法体验这款处理器的大多数真正优势。

       该架构适用的领域将比英特尔之前任何一款处理器都更宽广，从无风扇平板到高阶伺服器都包含在内。一种称之为S0ix的全新超低主动功耗状态进一步推升了Haswell 的电源管理能力，并让闲置功耗可再降低20倍。

       “当Haswell 平台在处理少量任务时，它几乎都是处在这个新的状态之下”英特尔院士Per Hammarlund说。

       Haswell 在高低功耗之间的转换速度也比现有x86晶片快得多。另外，它还为Serial ATA, PCI Express和USB埠采用了新的低功耗模式。

       Haswell 执行功率小于8W，而Intel目前的处理器超过17W。

       在绘图部份，Haswell提供了全新的GT3版本，它复制了现有Ivy Bridge绘图晶粒部份的关键部份。这让它具备比现行英特尔CPU高出两的绘图效能。

       新的AVX2指令包括一个融合的多倍址，如此一来该晶片便可在每周期执行两次，实现比Sandy Bridge架构高出一倍的浮点性能。其他的新指令还有助于加密或简化平行任务。

       例如，该晶片支援两种形式的事务型记忆体(transactional memory)，可用于大型资料库的自动更新，这种能力对伺服器特别有用。

       Haswell的快取记忆体和前一代晶片相同，但英特尔表示，为增加性能，该公司为L1和L2快取增加了一倍频宽。

       Krewell估计，现有的软体将可因新的CPU获得10%的性能增益。但采用新指令集的程式码将可获得更大优势。