中国IC设计业:深度广度并行 重塑价值链
来源:电子产业信息网 作者:—— 时间:2012-12-17 09:50
后摩尔时代引发生态变革
魏少军说,当工艺技术的进步不再遵循每两年集成度翻番的规律,工业界的发展路线图和技术路线不再十分确定,且当主流的基本器件结构及制造工艺发生根本性变化的时候,就进入了所谓“后摩尔”时代,基于这一考虑,从22nm/20nm开始我们将进入“后摩尔”时代。
而随着后摩尔时代的到来无论是在IC技术上,还是产业生态上都将会发生巨大变化。魏少军指出,一是商业模式将发生根本改变。由于IC价值需要依赖于电子整机和系统应用才能得到体现,过长的价值链将难以保证集成电路产品价值维持在较高水平;二是软件必不可少。架构设计的内容将包括芯片和芯片软件,软件将从被动跟随芯片升级,发展到主动引导芯片的产品定义;三是EDA厂商将成为伙伴。高额的研发成本将要求EDA厂商更多地为设计公司提供定制服务,一对一的“贴身服务”将成为EDA厂商不得不面对的挑战。
面对新“时代”,IC设计企业需要做好万全准备。魏少军表示,届时工艺浮动、成品率等问题将日益突出,FinFET等新器件将导致芯片研发根本性的改变,设计企业不仅要懂设计,全面提升物理设计能力,更要懂工艺,甚至要建立强有力的工艺团队等。同时,在产品上要瞄准大宗主流产品,在产业规模上要尽快做大做强。在20nm节点,由于一个芯片产品需要销售6000万只至1亿只才能达到盈亏平衡,因此只有通用的平台化产品才会被接受,这一定不会是ASIC,只可能是数量巨大的ASSP,如移动通信终端芯片或数字电视芯片等。
此外,在工艺的选择上,罗镇球表示,由于28nm工艺是采用HKMG技术,16nm是用FinFET技术,到了10nm节点,或许各家会有各家的玩法。这也更需要IC设计厂商与代工厂结成更紧密的合作。陈立武表示,随着先进工艺的不断推进,对EDA工具也提出了新的要求,如从28nm到20nm,EDA的改动很大,因为要光照两次,此外FinFET芯片对EDA物理验证工具也有不同的要求。随着先进工艺20nm时代的到来,Cadence在以ADE为主的条件下,将继续推广“模拟设计约束”的新方法以减小设计失误;继续加强PDK的功能以提高设计效率。
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