华虹NEC0.13/0.18微米SiGe工艺实现量产
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-01-29 10:28
世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
该新型SiGe工艺平台包括0.13um SiGe Bipolar及0.18um SiGe BiCMOS两套工艺,其中0.18um SiGe BiCMOS根据CMOS工作电压的不同,可分为1.8/3.3V和纯5V两种。这几套工艺是华虹NEC针对射频前端、高速通讯等新兴应用而开发的,具有低噪声、高速度、高耐压、多样工艺选项等优点,适合于手机通讯,无线路由,导航及光通讯等领域,极大地方便了客户选择,为客户提供更多的价值。
基于多年0.18/0.25微米RF-CMOS工艺成功的量产经验,结合自身在SiGe技术上的积累与客户对无线射频前端专用工艺的迫切需求,华虹NEC开发了具有国际先进水平的0.13/0.18微米SiGe工艺平台。该工艺平台核心器件性能优良,并提供丰富的器件选项,极大地增加了设计的灵活性。完整的PDK及器件模型,使得电路的设计更加方便快捷,从而大大缩短开发周期,提高开发效率。同时华虹NEC还可以向客户提供优质而完备的设计支持,及时帮助客户解决问题。
华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示,“0.13/0.18微米SiGe工艺的成功开发,加快了华虹NEC在射频前端市场的开拓步伐,进一步巩固了其在国内市场的领先地位。华虹NEC将瞄准高端市场需求,继续开发性价比更高的射频工艺技术平台。”(责编:damon)
- •成功举办!第二届无线通信技术与产业创新发展研讨会现场超200+人与会!线上直播超3000+人观看!2024-09-12
- •Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET 第五代功率MOSFET2024-02-20
- •Algorized 在 CES 2024 发布突破性传感技术2024-01-11
- •Tempus DRA 套件加速先进节点技术2023-12-12
- •艾迈斯欧司朗SFH 7018助力可穿戴设备实现高质量的心率和血氧测量2023-12-11
- •中国台湾公布核心关键技术清单2023-12-06
- •基础设施数字化正当时,兆易创新与信驰科技共同推进燃气物联网发展2023-12-01
- •瑞萨全新超高性能产品 业界首款基于Arm Cortex-M85处理器的MCU2023-10-31
- •DDR5 时代来临,新挑战不可忽视2023-10-23
- •2023无线通信技术与产业创新发展研讨会顺利召开2023-09-08