2013年内存市场前景看俏

来源:电子工程专辑 作者:—— 时间:2013-03-12 10:12

       某市调机构调查显示,2013年1月 DRAM 平均销售价(ASP)较去年同期增加13%, NAND Flash 的平均销售价更较去年同期大幅成长37%。

       随着产业持续整并为三家主要的 DRAM 供货商,以及 DRAM 与 NAND 闪存供货商缩减资本设备支出,带动产品价格上扬。该机构指出,这将有助于为整体内存市场带来19.9%的年成长率,并为整体IC市场增加6.2%的年成长率。该机构预计,今年的内存市场将是充满希望的一年。

       DRAM 制造商大幅缩减资本设备支出,以期能使价格持续稳定,但却更可能有助于带动产品价格上扬。该机构表示, NAND 闪存供货商也调整其资本支出,虽然不像 DRAM 那么显著,但随着市场对于像固态硬盘(SSD)等产品的需求增加,也为 NAND Falsh 带来平均销售价上涨的压力。

       从2003年以来,1月 DRAM 市场平均较前一年同期成长18.7%,但在2013年, DRAM 销售超过平均而成长了21.0%。同时,今年1月 NAND Flash 的销售成长了23.4%,较过去十年来的平均减少了4.4%.

 

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