2013年10大半导体厂商如何开拓新局面
来源:国际电子商情 作者:—— 时间:2013-05-15 09:20
根据DIGITIMES最新统计结果,去除2家IC设计业者,2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、台积电、德州仪器(Texas Instruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半导体。观察2012~2013年主要半导体大厂资本支出变化,英特尔与台积电均将较2012年增加,三星电子、东芝可望持平,SK海力士将较2012年减少,至于采轻晶圆厂策略的瑞萨电子、德州仪器及意法半导体2013年仍将维持在低资本支出水位。
2013年英特尔资本支出将较2012年增加18.2%,达130亿美元,除持续提升22纳米制程占产能比重外,亦将投入18寸晶圆与14、10、7、5纳米等更先进制程研发,以生产效能更佳的处理器。
三星电子半导体事业资本支出自2009年仅32亿美元持续增加至2012年123亿美元,已连续3年成长,然2013年预估将小幅减少至120亿美元,其存储器事业投资重点包括持续提升DRAM 28纳米制程占产能比重、续建大陆西安NAND Flash新厂,及推动NAND Flash朝21、16纳米制程迈进,而系统IC事业则将以扩充德州奥斯丁厂产能,及重启韩国华城厂第17产线兴建计画为主。
2013年台积电资本支出将自2012年83亿美元增加至95亿~100亿美元,主要将用于布建28、20及16纳米制程产能。日厂东芝2013年资本支出可望持平在20亿美元,主要将用于投入NAND Flash 1y纳米制程研发。
SK 海力士资本支出自2009年仅8亿美元持续增加至2012年35亿美元,呈现连续3年成长态势,然2013年预计将减少至26亿美元。2013年SK海力 士不仅将推动其DRAM自35纳米升级至28纳米制程,NAND Flash自27纳米升级21纳米制程,更计划于其晶圆代工产线切入更高阶芯片生产。
SK海力士于全球半导体生产据点分布

另外,韩厂三星与SK海力士虽2013年半导体事业资本支出均将较2012年减少,主要用于先进制程产能的布建,但对于透过购并公司以布局半导体相关技术的态度将更加积极,此透露出韩国半导体厂商渐不局限于仅投资在设备或厂房,更重视半导体元件技术布局的完整性。
上一篇:你怎么说,客户才会进货
下一篇:一个有心采购人教你如何做销售
- •4000+人次!“2025半导体产业发展趋势大会”成功举办!2025-04-14
- •定档4月11日!“2025半导体产业发展趋势大会”报名启动!2025-02-17
- •最新半导体关键终端市场销售情况及产业分析 | 2025.012025-02-13
- •瑞萨携手英特尔,为英特尔全新酷睿Ultra 200V系列处理器 打造先进电源管理解决方案2024-10-24
- •【ICDIA参会指南】首个IC应用展,Show出中国芯力量!2024-09-24
- •创新·互联·芯生态 | 2024半导体产业发展趋势大会暨颁奖盛典圆满举办2024-04-13
- •长达三公里!摩尔斯微电子演示全球最远距离 Wi-Fi HaLow 解决方案2024-03-19
- •今年全球半导体市场将增长20%,存储芯片市场将大涨52.5%!2024-03-11
- •互联芯生·共创未来 | 2023年半导体产业发展趋势高峰论坛暨颁奖盛典圆满落幕2023-04-26
- •“2022年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”获奖榜单公布!2023-03-22