鈺创科技发布最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片- EV26699

鈺创科技发布最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片- EV26699

    看好USB 3.0随身碟控制IC产品的市场爆发力，鈺创科技将于2013 Computex Taipei展会上，发表该公司再度缔造全球最快速度之USB3.0快闪记忆碟控制晶片 — EV26699，其读取/写入速率达320/280 Mega Bytes / second之佳绩。同时，鈺创科技将于国际USB-IF协会之SuperSpeed USB Community专区上，展示该公司横跨USB 3.0主端到装置端全系列晶片，邀请各系统厂商、业界专家及消费大眾参观及使用该公司诸多通过国际USB-IF认证的USB 3.0晶片，六月四日至八日「台北国际电脑展(Computex Taipei 2013)」期间，意者可前往台北南港展览馆四楼国际USB-IF之SuperSpeed USB Community专区 (No.N0608)，或光临鈺创科技位于台北市信义计划区世贸一馆展示摊位(No.C0217)参观。

    鈺创科技最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片— EV26699採独特的双通道快闪记忆体介面，具备先进之72位元纠错能力(ECC)，可支援多家快闪记忆体大厂于2?奈米及1?奈米先进製程之NAND Flashes產品。EV26699在搭配SLC快闪记忆体使用时，读取/写入速率最高可达每秒320/280 Mega Bytes；而搭配MLC快闪记忆体使用时，读取/写入速率亦可达每秒300/280 Mega Bytes。EV26699在硬体规格上可支援16CE或8CE两个版本，可採88-pin或64-pin QFN封装。