Q3传统旺季效应加持 DRAM价格止跌翻扬
来源:经济日报 作者:—— 时间:2013-08-12 09:11
NAND Flash及DRAM价格近期同步下挫,相关业者南科(2408)、威刚及群联认为,短期库存修正,在供给仍未显著增加下,8月下旬DRAM及NAND Flash价格有机会止跌翻扬。
动态随机存取存储器(DRAM)现货价跌势不止,DDR3 2Gb颗粒现货均价自高点回档逾二成,市场传出,NAND Flash市况反转,因手机大厂先前重复下单,开始进行库存调节,模块厂也不敢贸然抢货,这波缓跌走势可能延续到第4季,但部分业者抱持比较乐观的看法。
南科副总经理李培瑛表示,第2季及7月个人计算机销售仍显疲弱,DRAM在平板计算机及智能手机应用,将抵销应用在个人计算机的弱势。
他分析,全球科技消费朝向平板计算机靠拢的趋势成形,随着平板计算机DRAM装置容量提升,目前一台平板计算机平均DRAM容量为1.35GB,相当于个人计算机应用的四分之一,全球DRAM应用在PC、NB的比重降至三成,但DRAM价格上半年还是上扬,证明DRAM已进入非PC主导时代。
至于市场担心近期高阶智能型手机销售趋缓,压抑行动式存储器(Mobile DRAM)涨势,他表示,并没有看到包括三星、SK海力士等大厂有抛货行动,原因是几个国际品牌手机大厂即使有库存调整,占Mobile DRAM的百分比也只是个位数。
威刚董事长陈立白重申,先前看好DRAM和NAND Flash两大存储器将有旺季效应的看法不变,目前DRAM市场未见新增产能加入,近期价格向下修正,应会很快重启多头走势。
群联电子董事长潘健成坚信NAND Flash传统旺季效应一定会发生,预期8月下旬、9月产品价格可望反弹,群联第3季获利不会输第2季。从手机芯片大厂联发科7月业绩表现亮丽,就可看出大陆智能手机市场针对十一旺季备货需求强劲。
另外,电池组厂新普与机壳厂可成第3季营运展望乐观,显示可携式电子产品第3季市况不错,也将带动NAND Flash需求热络。
潘健成表示,近期NAND Flash产品价格回档,主要是受中间商抛货影响,但适度降价刺激市场需求增温,由于NAND Flash供应商有高达八成多的产出供货给系统业者,为确保获利,不会降价求售,第3季NAND Flash传统旺季效应一定会发生。
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