东芝3D NAND晶圆厂破土动工带动NAND Flash业复苏
来源:semi 作者:—— 时间:2013-08-29 09:19
据外媒electronicsweekly报道,东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工,应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。
东芝公司表示:“公司将扩大五号半导体制造工厂(Fab 5)工厂制造空间,以应对未来NAND Flash扩产需求,并为下一代工艺技术和日后投产3D NAND Flash预先做好准备;此次扩建将在明年夏天完成。”
据悉,东芝于日本三重县四日市已拥有三座晶圆厂,大规模量产NAND Flash,其中包括五号半导体制造工厂第一阶段厂房。
NAND市场领导者三星在本月早些时候宣布推出第一款基于3D垂直NAND(V-NAND)闪存技术的SSD固态硬盘,适用于企业服务器和数据中心;但不准备大批量生产。
五号半导体制造工厂工程将成为东芝公司往后用以生产3D NAND Flash的利器,并将确保东芝可基于最新的纳米制程技术,持续扩产NAND Flash。东芝指出,智能手机、平板装置、企业伺服器用固态硬盘(SSD)及其他新应用不断增长的需求,正带动NAND Flash产业复苏,而考量长期的市场供需平衡,东芝已计划投入五号半导体工厂的扩产。
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