东芝3D NAND晶圆厂破土动工带动NAND Flash业复苏

       据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求；该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。

       东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂（Fab 5）工厂制造空间，以应对未来NAND Flash扩产需求，并为下一代工艺技术和日后投产3D NAND Flash预先做好准备；此次扩建将在明年夏天完成。”

       据悉，东芝于日本三重县四日市已拥有三座晶圆厂，大规模量产NAND Flash，其中包括五号半导体制造工厂第一阶段厂房。

       NAND市场领导者三星在本月早些时候宣布推出第一款基于3D垂直NAND(V-NAND)闪存技术的SSD固态硬盘，适用于企业服务器和数据中心；但不准备大批量生产。

       五号半导体制造工厂工程将成为东芝公司往后用以生产3D NAND Flash的利器，并将确保东芝可基于最新的纳米制程技术，持续扩产NAND Flash。东芝指出，智能手机、平板装置、企业伺服器用固态硬盘（SSD）及其他新应用不断增长的需求，正带动NAND Flash产业复苏，而考量长期的市场供需平衡，东芝已计划投入五号半导体工厂的扩产。