霍尼韦尔推出新型半导体铜锰溅射靶材

霍尼韦尔推出新型半导体铜锰溅射靶材

       2014年3月18日，霍尼韦尔今日宣布推出新型铜锰溅射靶材，其采用的专利技术能为半导体生产商带来更高的靶材硬度、更长的使用寿命以及更卓越的性能表现。

       新型靶材采用霍尼韦尔等径角塑型(ECAE)专利技术，它是霍尼韦尔最初为铝和铝合金靶所研发的先进生产工艺。

       “霍尼韦尔电子材料积累了近半个世纪的冶金经验和专业技术，”霍尼韦尔靶材业务产品总监克里斯 ? 拉皮耶特拉（Chris Lapietra）表示：“凭借这些技术的运用，我们不断研发出能够帮助我们客户获益的产品技术，新型ECAE铜锰合金靶就是很好的例证。”

       采用ECAE工艺生产的靶材拥有超细晶粒尺寸，确保高度均匀的材料结构，更高的材质硬度，更少的杂质颗粒。普通标准靶材的晶粒尺寸一般在50至80微米之间，而新型ECAE铜锰合金靶则属于亚微米尺寸。采用ECAE技术生产的超细晶粒尺寸能够有效避免半导体生产商在采用普通带背板设计靶材时会碰到的溅射电压突然降低问题；该问题将造成尖端放电，形成杂质粒子，影响晶圆质量，最终导致晶圆报废和替换新的靶材，从而引起不必要的高额成本。

       增强的硬度允许靶材能够采用一块金属进行一体化设计，从而使靶材使用寿命延长了一倍，从原先的1800千瓦小时提升至3600千瓦小时。延长的使用寿命意味着生产商可以降低靶材的需求量，节省靶材更换以及机台维护所需的时间和精力，所有这一切都有助于帮助半导体生产商降低整体生产成本。