半导体业工艺追赶 10纳米时间节点隐现

半导体业工艺追赶 10纳米时间节点隐现

　　14纳米工艺三星领先台积电，争得苹果、高通等公司的大量移动处理器代工订单。早在三年前英特尔就积极布局10纳米工艺预计在2017年量产;台积电透露投巨资预计2017年量产10纳米工艺追赶英特尔，而三星电子也近日展示了其最新的10 纳米 FinFET 半导体工艺，预计2017年将导入此最新的半导体工艺。由此看来，三大晶圆代工大厂商将在2017年的消费电子产品中对决10纳米工艺。

　　据市调单位IC Insights最新统计，2014年半导体研发费用英特尔约115亿美元、台积电达18.74亿美元、三星达29.65亿美元。

　　三星电子在旧金山于2月22-26日举办的国际固态电路会议(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)上展示了全球首见的 10 纳米 FinFET 半导体工艺，有望抢在英特尔之前制造出第一款10纳米移动芯片组。

　　三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 在展场中表示，采用 10 纳米FinFET工艺技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联网(IoT)演化进程中相当重要的一步。除了 10 纳米工艺技术之外，Kim 也谈论了 10 纳米的 DRAM 与 3D V-NAND 科技。

　　根据报导，目前还无法确定消费性电子产品何时才会导入这种最新的半导体工艺技术，也许要到 2017 年才有可能。

　　台积电预计2017年量产10纳米工艺　追上Intel

　　同时，晶圆代工龙头台积电(TSMC)透露该公司将在 2017年开始量产 10纳米工艺，届时将能与英特尔(Intel)并驾齐驱;“我们的10纳米工艺性能表现，包括速度、功率与密度，将会与我们认为英特尔为其10纳米技术所定义的规格相当;”台积电企业通讯部门总监Elizabeth Sun表示：“凭借技术实力，我们认为能在10纳米节点拉近差距。”

　　而台积电首度表示，今年预期将会有半导体产业界最大规模的资本支出，其目标是巩固其晶圆代工市场领导地位，以对抗英特尔、三星(Samsung)与Global Foundries等竞争者。台积电将 2015年资本支出预算提高至115亿美元至120亿美元，较 2014年成长11.5~20%，主要原因是对市场的先进工艺需求深具信心。英特尔的 2014年度资本支出为101亿美元，今年则预期维持在100亿美元左右，增减5亿美元。

　　台积电的Sun表示，随着摩尔定律(Moore's Law)逐渐「失能」，产业界也剩下越来越少厂商能负担先进工艺所需的庞大投资：“当你继续微缩芯片，成本就不断上升，越来越少人能够真正负担得起。”她透露，台积电将在该公司的中科厂(编按：12寸晶圆Fab 15)进行10纳米量产，该厂随后也将量产更先进的工艺节点。

　　台积电将于中科晶圆厂(Fab 15)量产10纳米工艺

　　根据业界消息，台积电的中科晶圆厂在 2018年底将达到9万片晶圆月产能，采用10纳米节点或更先进工艺技术;该公司在本月稍早也表示将投资5,000亿台币(159亿美元)扩展中科厂产能。在1月份的财报发布会上，台积电共同执行长刘德音表示，台积电2015年营收成长率可望比产业估计12%的平均成长率高出“数个百分点”。

　　台积电 2015年第一季营收预期在新台币2,210亿~2,240亿台币之间，较 2014年同期成长约50%。台积电中科晶圆厂 2014年产值为2,000亿台币，贡献台积电年度总产值约28%的比例。而Sun也透露，台积电的10纳米节点量产将采用浸润式微影设备，至于更先进工艺节点将采用何种微影工具则尚未公布。

　　“我们正在与ASML合作，目标是在未来某个时候如果超紫外光微影(EUV)准备就绪，我们就能将该技术部分应用于10纳米工艺节点;”Sun解释，所谓的部分应用指的是指在少数关键电路层采用，而在10纳米以下工艺节点使用EUV微影仍要看该技术是否准备好量产：“相关工作仍在持续进展。”

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