闪迪东芝同时宣布新3D NAND闪存问世 存储速度提升5倍将用于iPhone7

　　8月6日消息，日前，闪迪和东芝两家闪存厂商不约而同，宣布了旗下最新3D NAND技术的闪存芯片即将问世，速度将大幅提升，同时能耗将进一步降低。

　　闪迪和东芝宣布开发出了世界第一款48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。目前，闪迪方面已经开始试产“256Gbit X3”芯片，而东芝预计将于2015年9月开始供应样片。据悉，该芯片采用了15纳米工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

　　目前，闪迪和东芝是苹果iPhone6、iPhone6 Plus的主要闪存芯片供应商，而且，据消息透露，两家厂商已经基本完成了向下一代苹果iPhone6s、iPhone6s Plus第一阶段的供货任务。也就是说，明年iPhone7很可能会搭载上述两家厂商的新型3D NAND闪存芯片，这将让iPhone7在储存能力、数据传输速度上获得飞跃。

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