《中国IC 28纳米工艺制程发展》白皮书发布 高增长将持续至2017年

　　9月24日，赛迪顾问发布了《中国IC 28纳米工艺制程发展》白皮书。白皮书指出，随着28纳米工艺技术的成熟，28纳米工艺产品市场需求量呈现爆发式增长态势：从2012年的91.3万片到 2014年的294.5万片，年复合增长率高达79.6%，并且这种高增长态势将持续到2017年。白皮书明确表示，28纳米工艺将会在未来很长一段时间内作为高端主流的工艺节点。考虑到中国物联网应用领域巨大的市场需求，28纳米工艺技术预计在中国将持续更长时间，为6-7年。

　　目前中国正着手从半导体制造领域实现突破、进而提升整个半导体产业水平。业界普遍认为，发展中国集成电路产业，技术创新、模式创新和体制机制创新是一个有机统一。赛迪在其白皮书中称，传统IDM模式的高生产运营成本制约了技术创新，同时技术进步难度大，产能和市场难以匹配;而行业分工模式导致工艺对接难度加大，Foundry的标准化工艺研发不利于满足客户特色需求，各Foundry厂工艺不统一增加了 Fabless适配难度，两种模式均不能满足中国集成电路行业的未来发展需求。其经过调研认为，IC设计(Fabless)和晶圆代工(Foundry)的“联合创新”模式更值得推崇。联合创新模式是一种分工基础上的紧密合作，是一种产业结构上的虚拟再整合，有利于加快Foundry工艺进步速度，有助突破产业发展瓶颈，提高Fabless工艺适配能力，提升产品性能优化空间。

　　白皮书用较大篇幅介绍了“中高联合创新模式”，认为全球最大的、领先的Fabless厂商Qualcomm(美国高通公司，以下简称“高通”)，和中国内地最大的Foundry厂商中芯国际的合作具有典型意义和示范作用。赛迪在白皮书中表示，高通拥有众多关于半导体工艺和设计的领先技术。作为双方28纳米制程工艺合作的一部分，高通为中芯国际提出实际的产品需求。这对帮助中芯国际利用、改进和完善其生产能力，打造出高良品率、高精确度的世界级商用产品至关重要。同时，协同技术创新也有利于中芯国际建立世界级的28纳米工艺设计包(PDK)，可以帮助高通以外的其它设计企业对中芯国际28纳米工艺树立信心。

　　白皮书称，“‘中高联合创新’正推动中国28纳米走向成熟，也开启了IC产业发展新模式。作为全球领先的无晶圆半导体厂商，高通是少数几家能够以规模化和技术资源支持半导体代工厂开发及成熟化领先制程工艺的厂商。

　　资料显示，2014年高通与中芯国际宣布了将双方的长期合作拓展至28纳米晶圆制造。中芯国际藉此成为中国内地第一家在最先进工艺节点上生产高性能、低功耗手机处理器的晶圆代工企业。仅仅一年多时间，中芯国际28纳米芯片组实现商用;而在2015年9月，中芯国际、国家集成电路产业投资基金股份有限公司和高通宣布达成向中芯长电半导体有限公司投资的意向并签署投资意向书，投资总额为2.8亿美元。如本轮拟进行的投资一旦完成，将帮助中芯长电加快中国第一条 12英寸凸块生产线的建设进度，从而扩大生产规模，提升先进制造能力，并完善中国整体芯片加工产业链。

　　从高通角度，业内人士普遍认为，其也将从“中高联合创新模式”中获得巨大裨益。与中芯国际深度合作，使高通增加了一个28纳米生产合作伙伴，该模式也可帮助高通更接近中国市场客户，更好地满足中国市场及客户的需求;而当下，中国物联网市场也正孕育巨大市场机会，高通曾在多个场合强调其技术正试图“拓展互联网边界”，业界认为与中芯国际等国内企业的合作，对于高通抓住和实现未来万物互联的机遇至关重要。

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