大陆发展DRAM 海力士表示很受伤
台湾工研院IEK认为,为替代进口,中国大陆发展DRAM已势在必行,未来若中国大陆成功抢进DRAM领域,预期海力士恐将是最大潜在受害者。
联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托,开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术,引起各界关注。
台湾工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为,为替代进口,中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。
杨瑞临指出,中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展,除这次委托联电开发技术的晋华外,还有武汉新芯,中芯也传将重操旧业,浪潮集团也可能抢进DRAM领域。
如何取得技术是中国大陆发展DRAM的关键,杨瑞临认为,中国大陆可能采取 3个策略,其一是寻求与现有DRAM厂合作,或是自日本找专家,或来台湾找技术。
对于联电为晋华开发DRAM制程技术,杨瑞临认为,与其DRAM人才被中国大陆挖角,联电为大陆厂商开发技术,不仅研发活动仍留在台湾,不须承担市场激烈竞争风险,还有技术授权金入帐,未尝不是件好事。
杨瑞临说,未来若中国大陆厂商成功抢进DRAM市场,预期海力士恐将首当其冲,将是最大潜在受害者。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •Vishay推出业内首款采用SMD封装的车规级Y1陶瓷电容器2025-09-29
- •艾迈斯欧司朗推出首款高功率多芯片封装且单源集成的激光器,实现投影应用一站式技术…2025-09-29
- •泰瑞达荣获2025年台积电Open Innovation Platform(OIP)年度合作伙伴大奖2025-09-29
- •Melexis以新型电机驱动芯片推动设计简化2025-09-26
- •艾迈斯欧司朗推出高可靠性电容式传感,直面汽车应用严苛工况挑战2025-09-26
- •安谋科技Arm China发布CPU IP“星辰”STAR-MC3,助力客户高效部署端侧AI应用2025-09-25
- •罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性,为客户带来更高灵活度2025-09-25
- •东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET,助力提高工业设备开关电源效率2025-09-25
- •从聚力向芯到生态共筑:以互联技术助力打造AI算力产业链闭环2025-09-25
- •摩尔斯微电子与普罗通信合作加速Wi-Fi HaLow市场普及2025-09-25