大陆发展DRAM 海力士表示很受伤
台湾工研院IEK认为,为替代进口,中国大陆发展DRAM已势在必行,未来若中国大陆成功抢进DRAM领域,预期海力士恐将是最大潜在受害者。
联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托,开发动态随机存取记忆体(DRAM)相关制程技术,引起各界关注。
台湾工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)电子与系统研究组副组长杨瑞临认为,为替代进口,中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。
杨瑞临指出,中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展,除这次委托联电开发技术的晋华外,还有武汉新芯,中芯也传将重操旧业,浪潮集团也可能抢进DRAM领域。
如何取得技术是中国大陆发展DRAM的关键,杨瑞临认为,中国大陆可能采取 3个策略,其一是寻求与现有DRAM厂合作,或是自日本找专家,或来台湾找技术。
对于联电为晋华开发DRAM制程技术,杨瑞临认为,与其DRAM人才被中国大陆挖角,联电为大陆厂商开发技术,不仅研发活动仍留在台湾,不须承担市场激烈竞争风险,还有技术授权金入帐,未尝不是件好事。
杨瑞临说,未来若中国大陆厂商成功抢进DRAM市场,预期海力士恐将首当其冲,将是最大潜在受害者。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码

- •思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器2026-05-21
- •GD32 MCU开发者社区正式上线,连接技术创新的每一种可能2026-05-21
- •东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率2026-05-21
- •Analog Devices拟收购Empower Semiconductor,拓展面向AI时代的新一代高密度电源产品组合2026-05-21
- •内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"2026-05-20
- •ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案2026-05-20
- •兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新2026-05-19
- •安谋科技Arm China与国民技术签署Arm Total Access授权许可协议,加速AI时代MCU灵活创新与高效落地2026-05-19
- •Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散2026-05-19
- •年内4轮涨价,王者归来的TI财报披露了哪些行业信号2026-05-18






