台积电：128G 7nm SRAM良率已达40%

台积电：128G 7nm SRAM良率已达40%

　　据中国台湾《电子时报》报道，台积电董事长张忠谋日前表示，7nm芯片制程技术对于维持台积电的技术优势非常重要，而三星将成为台积电在这一技术领域最主要的竞争对手。

　　张忠谋表示，凭借对三星的技术优势，台积电应该能够在7nm技术的大战中赢得胜利。

　　英特尔也可能成为台积电在7nm工艺技术领域的另一个竞争对手，但张忠谋表示，英特尔和台积电之间是互补关系，而非竞争关系。台积电已经与英特尔发展着“非常友好的”关系，他说。

　　在5月举行的公司年度技术论坛上，台积电联席CEO刘德音表示，用7nm制程生产的128MB SRAM已经达到30%至40%的良品率，台积电将成为业界首家完成7nm技术认证的芯片厂商。

　　台积电计划在2017年开始7nm工艺的试生产，并在2018年实现量产。

　　刘德音还表示，台积电的10nm工艺将在2017年量产。

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