SRAM”的相关资讯
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  • 同步突发式SRAM

    同步突发式SRAM的内部框图如图所示,它与同步管道突发式SRAM基本相同,不同之处只是在输出缓冲器中没有配置锁存器。因为没有锁存器,所以数据比管道突发类型的SRAM提前一个时钟输出。但另一方面,它很难提高时钟频率。前面曾例举的Cypress公司

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    2019-01-21 14:50
  • 厚翼科技提供检测与修復结合的SRAM解决方案-START

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    2018-06-05 09:54
  • 对华输出14nm:现在他们又搞定了5nm

    地球上除了IBM、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外,比利时微电子中心IMEC也是全球知名的半导体研发中心,国内的14nmFinFET工艺就是跟他们合作的。在新一代半导体工艺上,除了三星提及5nm及之后3nm工艺之外,其他

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    2018-05-29 14:58
  • 赛普拉斯授权UMC生产的SRAM 器件获航空航天级 QML 认证

    赛普拉斯半导体公司和半导体代工厂联华电子股份有限公司(以下简称“UMC”)今日联合宣布,赛普拉斯65nm和40nm技术平台成为业界首批荣获合格制造商名单(QML)认证的平台,为其未来产品铺平了道路。UMC的Fab12A(位于台湾台南)生产的新一

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    2017-11-16 14:08
  • 基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究

    VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细阐述了基于J750测试系统的测试技术研究,提出了采用J750EX测试系统的DSIO及其他

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    2017-09-05 11:44
  • 台积电:128G 7nm SRAM良率已达40%

    据中国台湾《电子时报》报道,台积电董事长张忠谋日前表示,7nm芯片制程技术对于维持台积电的技术优势非常重要,而三星将成为台积电在这一技术领域最主要的竞争对手。张忠谋表示,凭借对三星的技术优势,台积电应该能够在7nm技术的大战中赢得胜利。英特尔也

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    2016-06-15 09:20
  • 世界首颗!三星10nm FinFET工艺SRAM面世

    据韩国媒体最新报道,三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于10nmFinFET工艺的SRAM。其实IBM半导体联盟早在今年7月就制造了世界首个10nm的晶圆,但由于10nm工艺的技术难题,各大半导体厂家都相继推迟了它们的10nm工艺计划。所

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    2015-11-19 09:55
  • 瑞萨电子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

    瑞萨电子近日推出了两个全新的超低功耗SRAM(超LPSRAM)系列——低功耗SRAM领域的领先产品,能够为工厂自动化(FA)、工业设备、智能电网等应用提供更出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。全新的16MbRMLV1616A系列和32MbRM

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    2015-08-03 09:51
  • 基于SRAM的核心路由器交换矩阵输入端口设计

    0引言随着光纤通信技术的飞速发展,路由器的数据处理速度成为网络通信的主要瓶颈,交换矩阵作为核心路由器的重要组成部分则严重制约了路由器的传输速率。目前核心路由器交换结构使用较多的有共享内存和Crossbar两种。共享内存结构通过共享输入和输出端口

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    2014-12-31 10:07
  • 赛普拉斯全新低功耗异步SRAM开始出样

    静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL(MoreBatteryLife,更久电池续航)SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据

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    2014-09-12 09:05
  • 磁阻式随机存取记忆体时代到来尚需时日

    磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代DRAM与SRAM的潜力,但就连市场上唯一家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为,这种取代的过程得花上好一段时间。一份来自资料储存产业顾问机构CoughlinAssociates的报告指出

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    2014-07-02 09:11
  • 基于ARM的嵌入式系统中从串配置FPGA的实现

    1引言ARM(AdvancedRISCMachines)既可以认为是一个公司。也可以认为是对一类微处理器的统称,还可以认为是一项技术。基于ARM技术的微处理器应用约占据了32位RISC微处理器75%以上的市场份额,ARM技术正在逐步渗入到人们生

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    2014-05-28 10:53

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