同步突发式SRAM
来源:电子发烧友 作者:华强电子网 时间:2019-01-21 14:50
同步突发式SRAM的内部框图如图所示,它与同步管道突发式SRAM基本相同,不同之处只是在输出缓冲器中没有配置锁存器。
因为没有锁存器,所以数据比管道突发类型的SRAM提前一个时钟输出。但另一方面,它很难提高时钟频率。前面曾例举的Cypress公司的同步管道突发式SRAM的时钟频率最高为166MHz,但相同系列的同步突发式SRAM的频率最高却只有117MHz。
在个人计算机的外部缓冲器中一般都使用了同步管道突发式SRAM,而同步突发SRAM几乎没有被利用
上一篇:扩音器电路图
相关文章
SRAM
- •厚翼科技提供检测与修復结合的SRAM解决方案-START2018-06-05
- •对华输出14nm:现在他们又搞定了5nm2018-05-29
- •赛普拉斯授权UMC生产的SRAM 器件获航空航天级 QML 认证2017-11-16
- •基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究2017-09-05
- •台积电:128G 7nm SRAM良率已达40% 2016-06-15
- •世界首颗!三星10nm FinFET工艺SRAM面世2015-11-19
- •瑞萨电子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM2015-08-03
- •基于SRAM的核心路由器交换矩阵输入端口设计2014-12-31
- •赛普拉斯全新低功耗异步SRAM开始出样2014-09-12
- •磁阻式随机存取记忆体时代到来尚需时日2014-07-02