三星3D NAND产能继续增加?外资:2017年产能将拉高近4成
韩国经济日报(Korea Economic Daily)15日报道,三星电子(Samsung Electronics Co.)打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪记忆体产能,总共要斥资25万亿韩元,主要扩产的是位于中国西安的厂房,预定今年稍晚会于该厂新设一条3D NAND生产线,另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报道,三星电子已在15日稍早否认上述消息,宣称3D NAND的投资内容尚未敲定,但分析师似乎认为韩媒的报道内容相当可信。
barron`s.com 16日报道,J.P.摩根发表研究报告指出,三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开,且该公司还计划把Line 16厂的部分2D NAND产能转换为3D。
另外,三星也将善用Line 17厂在2楼的空间,于明年投产3D NAND。依据上述假设,J.P.摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片),等于比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%,并占业界总体产能的12%。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码

- •思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器2026-05-21
- •GD32 MCU开发者社区正式上线,连接技术创新的每一种可能2026-05-21
- •东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率2026-05-21
- •Analog Devices拟收购Empower Semiconductor,拓展面向AI时代的新一代高密度电源产品组合2026-05-21
- •内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"2026-05-20
- •ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案2026-05-20
- •兆易创新推出全新三相栅极驱动器,多电压平台赋能电机驱动革新2026-05-19
- •安谋科技Arm China与国民技术签署Arm Total Access授权许可协议,加速AI时代MCU灵活创新与高效落地2026-05-19
- •Vishay PAR和TRANSZORB TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散2026-05-19
- •年内4轮涨价,王者归来的TI财报披露了哪些行业信号2026-05-18






