三星推全球首款UFS存储卡 比microSD卡快5倍
250MB/s已经很快,但现在世界最快的microSD记忆卡宝座又换人坐。
闪迪推出的UHS-II记忆体速度已经相当快,但Samsung Electronics在7日公布的microSD记忆体比它还快。

在7日,Samsung Electronics发布新闻稿,宣布推出基于UFS 1.0规范的microSD记忆卡;目前这系列记忆卡提供256、128、64以及最小32GB等4种容量供选择。但相当有趣的部分是,目前没有任何装置可以支援UFS规范记忆卡。
Samsung Electronics 256GB的记忆卡的写入速度可以达到SATA 6.0Gbps SSD的530MB/s,而一般循序写入部分约在170MB/s左右。
至于随机读取分别是40,000 IOPS(读取)和35,000 IOPS(写入),将USH-I记忆卡远远抛在后头。
UFS2.0规范是在2013年9月公布,而UFS 1.0记忆卡规范则是在2016年3月。目前,Samsung Electronics是这领域的佼佼者,后面仍未见到任何追兵。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码

- •Cat.1 bis如何破解智能设备的“移动与续航”难题?2025-12-26
- •思特威推出高端5000万像素0.7μm手机应用CMOS图像传感器2025-12-25
- •东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器(CMOS)2025-12-24
- •艾迈斯欧司朗推出专为智能眼镜优化的紧凑型RGGB LED解决方案2025-12-24
- •美国按下“暂停键”:对华半导体征税推迟18个月2025-12-24
- •英特尔安装全球首台商用High-NA EUV光刻机!14A进程冲刺量产,制程革命近在眼前2025-12-23
- •艾迈斯欧司朗推出以人眼安全为核心设计准则的LED驱动芯片方案2025-12-23
- •围绕安世半导体争议,商务部再度表明严正立场2025-12-23
- •安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件2025-12-23
- •联手本土厂商,安世中国破局荷兰晶圆断供!2025-12-22






