西数发布全球首个64层3D NAND内存技术

西数发布全球首个64层3D NAND内存技术

　　西数(Western Digital)公司28日宣布成功开发下一代3D NAND技术BiCS3，具有64层垂直储存功能。新技术产品将在位于日本四日市的合资晶圆厂进行试产，预计今年稍晚即开始正式生产。西数预估BiCS3在2017上半年开始商业量产。

　　西数内存技术部门执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“运用我们领先业界64层架构为基础，推出下一代3D NAND技术，将增强我们在NAND快闪技术的领导地位。BiCS3采用了3位(3-bits-per-cell)技术，并在高深宽比半导体处理上实现进展，能够以更优成本提供更高容量、出色效能，并具有更高的可靠度。加上BiCS2，我们的3D NAND产品组合将大幅扩充，提升了我们满足零售、移动与数据中心整体客户应用需求的能力。”

　　西数发布全球首个64层3D NAND内存技术BiCS3是西数和其技术及制造伙伴Toshiba携手开发的结晶，初期将提供256gigabit容量规格，日后还会扩充至一颗芯片0.5 terabit的容量。西数预计BiCS3产品在2016年第四季向零售市场大量出货，本季开始向OEM厂商送样，上一代3DNAND技术的BiCS2仍会继续向零售与OEM客户供货。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码