美光3D NAND送样 三星独霸画上句号
来源:精实新闻 作者:--- 时间:2016-08-11 09:11
记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND由三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点。
TechRadar、ComputerWorld报导,美光9日宣布开发出该公司第一款3D NAND晶片,采48层堆叠,容量为32GB。这款3D NAND将用于中高阶智慧机,支援全新的储存标准UFS2.1。
美光宣称,新品效能比前代提升40%,尺寸更是业界最小,美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒,体积缩小30%。新品已送样给行动装置厂,预定今年底广泛出货。
美光行动业务部门发言人Dan Bingham说,该公司第二代3D NAND将为64层,研发时程尚未公布。为了支援虚拟实境和串流影片需求,行动装置的记忆体容量不断增加,美光预估,2020年智慧机的内建记忆体或许会有1TB,和电脑差不多。
巴伦(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest报告,内容预测3D NAND时代将要到来。报告称,英特尔、美光、SK海力士(SK Hynix)、东芝、Western Digital的3D NAND应该很快就会上市。估计第3、4季3D NAND产品将会大增。英特尔和美光的产品已经差不多就绪,东芝和SK海力士则可能在Q4出货。
Pacific Crest认为,3D NAND战役中,美光情势有利。该公司的3D NAND尽管层数较少,但是密度高,而且美光无可损失。
南韩三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商,不过NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人,宣布领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品,且进行送样。
东芝7月27日新闻稿宣布,已研发出64层的3D Flash制程技术,并自今日起领先全球同业开始进行样品出货,且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。
竞争对手急起直追,三星电子冒冷汗,将豪掷17兆韩圜(150亿美元),研发3D NAND flash和OLED,巩固领先优势。
南韩先驱报7月29日报导,三星电子今年下半还有17.2兆韩圜的研发经费,这笔钱会用在哪边?三星高层Lee Myung-jin给出方向,声称由于需求飙升,今年将专注于3D NAND和OLED面板。三星是头一个开发出3D NAND flash业者,目前仍是唯一有能力量产48层3D NAND flash的业者,为防对手抢单,今年三星将在南韩京畿道工厂增加更多产线。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证2025-06-27
- •第十六届夏季达沃斯论坛举办,安谋科技CEO陈锋受邀分享产业升级与全球协作洞见2025-06-26
- •SiC Combo JFET技术概览与特性2025-06-26
- •罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计, 配备罗姆面向SoC的PMIC,助力智能座…2025-06-25
- •安森美AI数据中心系统方案指南上线2025-06-25
- •艾迈斯欧司朗IR:6树立红外技术新标杆2025-06-25
- •罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”2025-06-25
- •罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案2025-06-23
- •Wolfspeed 正以积极举措夯实财务基础,为规模化盈利增长铺路2025-06-23
- •X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力2025-06-23