三星实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存
来源:cnBeta 作者:--- 时间:2016-08-11 10:03
在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠。
新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S,三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品。按此速度到2020年即可量产容量达100TB的SSD固态硬盘,三星已经计划将新技术率先应用到企业级SSD产品中,与32层(每层)1TB存储技术混合生产32TB的企业级SSD盘产品。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •摩尔斯微电子的Wi-Fi HaLow技术正式获得Matter 认证2025-06-27
- •第十六届夏季达沃斯论坛举办,安谋科技CEO陈锋受邀分享产业升级与全球协作洞见2025-06-26
- •SiC Combo JFET技术概览与特性2025-06-26
- •罗姆与芯驰科技联合开发出车载SoC X9SP参考设计, 配备罗姆面向SoC的PMIC,助力智能座…2025-06-25
- •安森美AI数据中心系统方案指南上线2025-06-25
- •艾迈斯欧司朗IR:6树立红外技术新标杆2025-06-25
- •罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”2025-06-25
- •东芝推出智能电机控制驱动IC“SmartMCD”系列的第二款新品2025-06-25
- •罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案2025-06-23
- •Wolfspeed 正以积极举措夯实财务基础,为规模化盈利增长铺路2025-06-23