三星实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

　　在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上，三星宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠，存储密度再次突破新高，超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠。

　　新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S，三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品。按此速度到2020年即可量产容量达100TB的SSD固态硬盘，三星已经计划将新技术率先应用到企业级SSD产品中，与32层(每层)1TB存储技术混合生产32TB的企业级SSD盘产品。

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