东芝首发15nm eMMC闪存:速度飙升140%!
东芝美国电子元件公司今天正式公布了新一代e-MMC和UFS嵌入式存储解决方案,进一步壮大了旗下NAND产品阵容。
新的“Supreme +”e-MMC(JEDEC版本5.1)和UFS(JEDEC版本2.1)提供了强大的集成控制器技术,可提供显著的读写速度改进。
与原来的NAND闪存解决方案相比,e-MMC和UFS将NAND闪存和控制器芯片集成在单个封装中。这样的设计不仅节省了空间,而且还减轻了主处理器的存储管理负担,包括坏块管理,错误校正,损耗均衡和垃圾收集。
因此,与具有标准NAND闪存接口的独立存储器IC相比,e-MMC和UFS器件简化了设计。
据介绍,东芝的新e-MMC芯片容量从16GB到128GB不等,采用15nm工艺制造,这使得其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。
读写性能方面,新e-MMC芯片的顺序读写速度分别为320MB/s和180MB/s,分别比旧型号提升约2%和20%。随机读写速度比以前提升约100%和140%。
另外,新的UFS芯片也基于东芝的15nm MLC NAND工艺,可提供从32GB到128GB的容量。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了大约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了大约120%和80%。
需要强调的是,东芝在新的UFS控制器中提供了M-PHY 3.0内核和数字UniPro 1.6内核。使得控制器能够与闪存芯片更好的匹配,充分发挥性能。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •GD32 MCU高效控制方案,多维赋能家电全场景变频驱动2025-07-30
- •安森美携手英伟达,共推下一代AI数据中心加速向800V直流供电方案转型2025-07-30
- •抢占通信技术领域高地!<第三届无线通信技术产业发展研讨会> 9月深圳启幕!报名通道开启!2025-07-30
- •瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU,专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计2025-07-29
- •ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器2025-07-29
- •Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性2025-07-29
- •Vishay最新工业级3/8英寸方形单匝金属陶瓷微调器,优化PCB上的布局2025-07-28
- •安森美和舍弗勒扩大合作,推出基于EliteSiC的新型插电式混合动力汽车平台2025-07-28
- •重磅新品 | 思特威推出50MP 1英寸超高动态范围旗舰手机应用CMOS图像传感器2025-07-23
- •行业分享|洞察高端MLCC如何为智能穿戴热潮“添砖加瓦”2025-07-23